我们推荐美国Micro-Chem SU-8 2000系列 和升级版后 SU-8 3000系列搭配显影液 SU-8 Developer 可以达到完美的使用效果

SU- 8在受到紫外辐射后发生交联，是一种化学扩大负性胶，可以形成台阶等结构复杂的图形；且 SU- 8胶不导电，在电镀时可以直接作为绝缘体使用。由于具有较多优点，SU- 8胶正被逐渐应用于 MEMS、芯片封装和微加工等领域。目前，直接采用 SU- 8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。
SU 8光刻胶光刻前清洗工艺：
为了获得更好的光刻效果，在进行光刻胶旋涂之前，需要对基材进行清洗。常用的清洗方法是利用浓硫酸及双氧水的混合溶液浸泡，随后用去离子水清洗并用氮气吹干。除此之外还可以利用反应离子刻蚀或等离子表面清洗仪清洗。
SU 8光刻胶
光刻工艺：
将 SU- 8光刻胶组分旋涂在基材上，旋涂厚度几几百微米。涂覆晶片经过前烘并冷却室温。在烘干过程中，优先选择加热均匀且温度控制精确的加热板；不能使用鼓风干燥箱，防止因为光刻胶表面优先固化从而阻止内层光刻胶溶剂的挥发。冷却后，将负光掩模与涂覆晶片接触并在汞灯的紫外辐射剂量10-250mJ/㎝²条件下进行曝光。曝光结束后，选择合适的烘烤温度及时间。将晶片在显影液中浸渍显影，随后用氮气吹干。
SU-8光刻胶
的优点：
1、SU-8光刻胶在近紫外光(365nm- 400nm)范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形；
2、SU-8光刻胶具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性；
3、SU-8在受到紫外辐射后发生交联，是一种化学扩大负性胶，可以形成台阶等结构复杂的图形；
4、SU-8胶不导电，在电镀时可以直接作为绝缘体使用。
由于具有较多优点，SU-8 胶正被逐渐应用于 MEMS、芯片封装和微加工等领域。目前，直接采用 SU8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。

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