MicroChem光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。

　　光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过曝光后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显影后，留下光照部分形成图形。

　　负胶在光刻工艺上应用早，其工艺成本低、产量高，但由于它吸收显影液后会膨胀，导致其分辨率（即光刻工艺中所能形成小图形）不如正胶，因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术，主要使用正胶作为光刻

　　MicroChem光刻胶使用注意事项：

　　①若腐蚀液为碱性，则不宜用正性光刻胶

　　②看光刻机型式,若是投影方式,用常规负胶时氮气环境可能会有些问题

　　③负性胶价格成本低，正性胶较贵

　　④工艺方面：负性胶能很好地获得单根线，而正性胶可获得孤立的洞和槽

　　⑤健康方面：负性胶为有机溶液处理，不利于环境；正性胶属于水溶液，对健康、环境无害